新聞資訊
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隨著智能網(wǎng)聯(lián)汽車的飛速發(fā)展，整車電子電氣架構(gòu)正經(jīng)歷從分布式ECU架構(gòu)向域/中央集中式架構(gòu)的重大變革，同時，基于V2X的云路車一體化方案也在逐步落地。然而，智能網(wǎng)聯(lián)技術(shù)在給人們生活帶來便捷的同時，也帶來了更為復(fù)雜和嚴(yán)峻的汽車網(wǎng)絡(luò)安全問題。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202405/459075.htm近年來，汽
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有源醫(yī)療器械的電氣安全現(xiàn)代醫(yī)院里眾多的醫(yī)療器械在診斷、治療、監(jiān)護方面發(fā)揮了巨大的作用，這其中絕大部分是以電源為能源動力，也被稱為有源醫(yī)療器械。而有源醫(yī)療器械的準(zhǔn)確定義應(yīng)該是指任何依靠電能或其他能源而不直接由人體或重力產(chǎn)生的能源來發(fā)揮其功能的醫(yī)療器械。1、電氣安全不容忽視有源醫(yī)療器械相比較于無源醫(yī)療器械
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半導(dǎo)體制造是一個高度自動化的行業(yè)，機臺的自動化控制和實時監(jiān)控對于生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。而半導(dǎo)體EAP系統(tǒng)正是能夠?qū)崿F(xiàn)對機臺的實時監(jiān)控和自動化控制的關(guān)鍵系統(tǒng)。EAP（Equipment Automation Programming）系統(tǒng)是一種針對半導(dǎo)體制造設(shè)備的自動化控制系統(tǒng)。它能夠?qū)ιa(chǎn)線上的機臺進行實時監(jiān)控，并能夠根據(jù)預(yù)先定義的
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汽車芯片專業(yè)名稱“車規(guī)級芯片”，指技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)達到車規(guī)級，可應(yīng)用于汽車控制的芯片。不同于消費品和工業(yè)品，汽車芯片對可靠性的要求要高一些，例如工作溫度范圍、工作穩(wěn)定性、不良率等。汽車芯片通過處理器和其他電路來控制汽車中的各種功能，例如引擎控制、座椅調(diào)節(jié)、音頻系統(tǒng)等。汽車芯片的主要功能是使汽車在各種極端條件
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01占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本一半的IGBT如今全球的汽車已經(jīng)進入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五六百顆，到如今一臺具備L2駕駛級別的高配燃油車就需要1000顆以上的芯片，一個配置較好的新能源純電汽車更是需要2000顆以上芯片。而在眾多新能源汽車芯片中，IGBT芯片絕對稱得上“皇冠
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近期，特斯拉宣布將大砍碳化硅用量75%的消息沖上了熱搜。這一消息，也讓業(yè)內(nèi)對于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽車中的地位，產(chǎn)生了懷疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真的要“跌落神壇”？碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域究竟有沒有替代IGBT的能力？在這場“代際”之爭中，誰會是真正的贏家？碳化硅“動搖”IGBT地位在2018年特斯拉
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中國作為全球最大的新能源汽車市場，車規(guī)功率半導(dǎo)體需求強勁，電動化與高壓化是兩大重要推動力。功率半導(dǎo)體的具體應(yīng)用場景已經(jīng)從燃油車時代的輔助驅(qū)動系統(tǒng)單一場景不斷向牽引逆變器、OBC、高低壓輔助驅(qū)動系統(tǒng)、DC/DC模塊、充電樁等多個細(xì)分領(lǐng)域拓展。在過去相當(dāng)長的時間里，全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體市場主要被英飛凌、安森美、
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作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。2022年，新能源汽車的單車功率半導(dǎo)體價值量達到458.7美元，約為傳統(tǒng)燃油車的5倍。顯而易見，在全球芯片細(xì)分市場中，功率器件市場對我國芯片產(chǎn)業(yè)的重要性。近年來，
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在快速發(fā)展的電信世界中，半導(dǎo)體技術(shù)的作用發(fā)揮巨大的價值。該領(lǐng)域的創(chuàng)新正在推動可靠性和性能的前所未有的提高，實現(xiàn)更快、更高效的通信系統(tǒng)，從而改變?nèi)藗兊纳詈凸ぷ鞣绞健＃ㄐ緢F網(wǎng)，領(lǐng)先全球的芯片元器件純第三方交易平臺，一分鐘貨比百家，質(zhì)量有保證，違約高賠償）半導(dǎo)體技術(shù)是電信的核心。這些微型設(shè)備通常不比一粒
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功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)，它一直是新能源、軌道交通、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用、家用電器等應(yīng)用的核心硅基IGBT由于驅(qū)動功率低，飽和壓降低，設(shè)備具有高電壓等級(高達6500)V)高達3600A)成為各個領(lǐng)域的中流砥柱（1）、高功率密度和高開關(guān)頻率是實現(xiàn)電力電子設(shè)備小型化和未來
