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近期，特斯拉宣布將大砍碳化硅用量75%的消息沖上了熱搜。這一消息，也讓業(yè)內(nèi)對(duì)于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽車中的地位，產(chǎn)生了懷疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真的要“跌落神壇”？碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域究竟有沒有替代IGBT的能力？在這場(chǎng)“代際”之爭(zhēng)中，誰會(huì)是真正的贏家？碳化硅“動(dòng)搖”IGBT地位在2018年特斯拉
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中國作為全球最大的新能源汽車市場(chǎng)，車規(guī)功率半導(dǎo)體需求強(qiáng)勁，電動(dòng)化與高壓化是兩大重要推動(dòng)力。功率半導(dǎo)體的具體應(yīng)用場(chǎng)景已經(jīng)從燃油車時(shí)代的輔助驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)單一場(chǎng)景不斷向牽引逆變器、OBC、高低壓輔助驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、DC/DC模塊、充電樁等多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域拓展。在過去相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間里，全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要被英飛凌、安森美、
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作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。2022年，新能源汽車的單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量達(dá)到458.7美元，約為傳統(tǒng)燃油車的5倍。顯而易見，在全球芯片細(xì)分市場(chǎng)中，功率器件市場(chǎng)對(duì)我國芯片產(chǎn)業(yè)的重要性。近年來，
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在快速發(fā)展的電信世界中，半導(dǎo)體技術(shù)的作用發(fā)揮巨大的價(jià)值。該領(lǐng)域的創(chuàng)新正在推動(dòng)可靠性和性能的前所未有的提高，實(shí)現(xiàn)更快、更高效的通信系統(tǒng)，從而改變?nèi)藗兊纳詈凸ぷ鞣绞?。（芯團(tuán)網(wǎng)，領(lǐng)先全球的芯片元器件純第三方交易平臺(tái)，一分鐘貨比百家，質(zhì)量有保證，違約高賠償）半導(dǎo)體技術(shù)是電信的核心。這些微型設(shè)備通常不比一粒
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功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)，它一直是新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用、家用電器等應(yīng)用的核心硅基IGBT由于驅(qū)動(dòng)功率低，飽和壓降低，設(shè)備具有高電壓等級(jí)(高達(dá)6500)V)高達(dá)3600A)成為各個(gè)領(lǐng)域的中流砥柱（1）、高功率密度和高開關(guān)頻率是實(shí)現(xiàn)電力電子設(shè)備小型化和未來
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在器件使用的自然環(huán)境中，溫度和濕度是不可分割的兩個(gè)因素。不同地區(qū)，器件應(yīng)用于不同的地理位置，所處工作環(huán)境的溫度、濕度也各不相同。溫濕度循環(huán)試驗(yàn)可以用來確認(rèn)產(chǎn)品在溫濕度氣候環(huán)境條件下儲(chǔ)存、運(yùn)輸以及使用適應(yīng)性。環(huán)境試驗(yàn)的試驗(yàn)范圍很廣，包括高溫，低溫，溫度沖擊（氣態(tài)及液態(tài)），浸漬，溫度循環(huán)，低壓，高壓，高
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IGBT功率半導(dǎo)體器件是新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等應(yīng)用的核心部件。特別是隨著新能源電動(dòng)汽車的高速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)更是爆發(fā)式的增長(zhǎng)，區(qū)別于消費(fèi)電子市場(chǎng)，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件由于高工作結(jié)溫、高功率密度、高開關(guān)頻率的特性，和更加惡劣的使用環(huán)境，使得器件的可靠性顯得尤為重要。功率
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5 月 22 日消息，北京大學(xué)物理學(xué)院現(xiàn)代光學(xué)研究所"極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì) " 的王劍威研究員、胡小永教授、龔旗煌教授團(tuán)隊(duì)與合作者近日提出并實(shí)現(xiàn)了一種基于大規(guī)模集成光學(xué)的完全可編程拓?fù)涔庾有酒?。研究人員通過在硅芯片上大規(guī)模集成可重構(gòu)的光學(xué)微環(huán)腔陣列，首次實(shí)現(xiàn)了一種任意可編程的光學(xué)弗洛凱人
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高數(shù)值孔徑 （ High -NA ） EUV 光刻 機(jī) 剛剛起步，ASML又開始 致力于開發(fā) 超數(shù)孔徑Hyper-NA EUV光刻機(jī)。 ASML 名 譽(yù)首席技術(shù)官 Martin van den Brink在安特衛(wèi)普舉行的Imec技術(shù)論壇（ITF）上發(fā)表演講時(shí)透露了公司的未來規(guī)劃。 他表示，在未來十年內(nèi)，ASML將構(gòu)建一個(gè)集成低數(shù)值孔徑、高數(shù)值孔
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5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出4F2VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；
