開(kāi)關(guān)電源與 LDO 相比，具有效率高、體積小、可升壓等顯著優(yōu)點(diǎn)，但是開(kāi)關(guān)電源在工作時(shí)，會(huì)對(duì)外產(chǎn)生電磁輻射，若輻射過(guò)大，則會(huì)對(duì)周?chē)骷斐蓢?yán)重影響，導(dǎo)致系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。要實(shí)現(xiàn)抑制電源對(duì)外的電磁輻射，首先應(yīng)明確電磁輻射產(chǎn)生的機(jī)理與源頭。開(kāi)關(guān)電源是通過(guò)功率管打開(kāi)時(shí)給電感充電，電感儲(chǔ)能；功率管斷開(kāi)時(shí)，電感釋放能量，實(shí)現(xiàn)電壓變換。

由于功率管、續(xù)流二極管不斷的打開(kāi)與關(guān)斷，造成電流不連續(xù)，此變化電流會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓（由 V=L*di/dt 可以推導(dǎo)出，尖峰電壓等于電流回路中的寄生電感乘以電流變化率，L 是開(kāi)關(guān)電流回路的寄生電感），此尖峰電壓會(huì)產(chǎn)生較大的電磁干擾，可以通過(guò)抑制此尖峰電壓來(lái)降低電磁干擾。通常可以通過(guò)以下幾種方法來(lái)降低開(kāi)關(guān)電源對(duì)外產(chǎn)生的電磁干擾。

　　改善方法一：縮短開(kāi)關(guān)電流回路

　　BUCK 拓?fù)潆娏骰芈穲D，以系統(tǒng)工作在連續(xù)狀態(tài)下為例。

　　由“圖 1”可知，當(dāng)功率管 Q1 打開(kāi)時(shí)，電流回路是 CIN-》Q(chēng)1-》L1-》COUT；當(dāng) Q1 閉合時(shí)，電流回路是 L1-》COUT-》D1；不論功率管 Q1 打開(kāi)還是關(guān)斷，電流均流過(guò) L1 和 COUT，表明流過(guò) L1 和 COUT 處電流是連續(xù)電流，流過(guò) CIN、Q1、D1 的電流是開(kāi)關(guān)電流，開(kāi)關(guān)電流會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生毛刺電壓，對(duì)外輻射電磁波。由 V=L*di/dt 可知，在 di/dt 不變的條件下，可以通過(guò)縮短 CIN、Q1、D1 的電流回路，來(lái)減少開(kāi)關(guān)電流回路的寄生參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁輻射。

　　改善方法二：降低電流變化率

　　降低開(kāi)關(guān)電流變化率（即降低 di/dt 的值），首先在使用條件不變的情況下，電流的變化量基本不會(huì)變化，只好通過(guò)延長(zhǎng)電流的變化時(shí)間來(lái)降低 di/dt 的值。可以通過(guò)使用開(kāi)關(guān)速度稍慢的二極管來(lái)降低 D1 回路電流變化率，但是使用開(kāi)關(guān)速度稍慢的超快恢復(fù)二極管，會(huì)導(dǎo)致二極管的損耗增大，不僅會(huì)影響效率，還會(huì)導(dǎo)致二極管溫度過(guò)高，反向漏電流增大，影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。

　　改善方法三：抑制高頻噪聲

　　參考“圖 2”，肖特基本身具有寄生電容，回路上存在寄生電感；開(kāi)關(guān)電流會(huì)流過(guò)肖特基 D1，寄生的電感、電容會(huì)產(chǎn)生振鈴，若振蕩頻率超過(guò) 30MHz，進(jìn)入輻射測(cè)試頻率段，則會(huì)被測(cè)試儀器捕捉到。我們可以通過(guò)在肖特基處串聯(lián)磁珠來(lái)濾除高頻信號(hào)，降低高頻信號(hào)對(duì)外電磁輻射能量。但是肖特基上串聯(lián)磁珠，會(huì)產(chǎn)生較大負(fù)向尖峰電壓，需要控制輸入電壓與尖峰電壓絕對(duì)值之和小于芯片的耐壓，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。

　　備注：我們常用的貼片式磁珠材料主要是有磁粉、鎳、銀漿三大部分組成，其在高頻條件下具有相當(dāng)大的阻抗，可以吸收高頻信號(hào)（通常 30MHz 以上為高頻）。

　　改善方法四：添加 RC 吸收電路

　　在無(wú)法進(jìn)一步降低系統(tǒng)自生的干擾時(shí)，可以通過(guò)外加對(duì)策器件來(lái)進(jìn)一步抑制；在芯片 SW 與 GND 之間并聯(lián) RC 吸收電路不僅可以吸收寄生參數(shù)產(chǎn)生的毛刺電壓，也可以改變諧振頻率，從而實(shí)現(xiàn)抑制電磁輻射。通常“方案三”與“方案四” 組合使用，抑制效果較佳。相應(yīng)的電路圖如圖 3 所示：

　　改善方法五：添加共模電感

　　輻射測(cè)試點(diǎn)頻率段為30M到1000M，此頻率段對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)是0.3米到10米，如果要發(fā)射一定波長(zhǎng)的電磁波，需要一根發(fā)射天線，成為天線的必要條件是長(zhǎng)度至少要大于波長(zhǎng)的二十分之一，當(dāng)天線是電磁波半波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)，發(fā)射功率最大。通常輸出端的電源線均比較長(zhǎng)，有可能成為對(duì)外發(fā)射電磁波的天線，可以通過(guò)在系統(tǒng)輸出端串聯(lián)共模電感（參考“圖4”），濾除共模信號(hào)來(lái)抑制輻射超標(biāo)，但同時(shí)共模電感具有體積大、成本高、不易加工等缺點(diǎn)，不適合應(yīng)用于小體積、低成本方案。

　　綜上：

　　通過(guò)以下簡(jiǎn)單實(shí)用的步驟來(lái)幫助我們?cè)O(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源快速通過(guò)相關(guān)的輻射測(cè)試

　　1.優(yōu)化 PCB 走線，輸入端電容靠近芯片 VIN 與 GND 引腳，反饋?zhàn)呔€遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)信號(hào)節(jié)點(diǎn)，使用 GND 走線包圍開(kāi)關(guān)信號(hào)節(jié)點(diǎn)，同時(shí)縮短開(kāi)關(guān)電流回路路徑，即將輸入端電容正極靠近芯片 VIN 引腳，肖特基陰極靠近芯片 SW 引腳，肖特基陽(yáng)極靠近輸入電容負(fù)極；

　　2.在肖特基處串聯(lián)磁珠和 RC 吸收電路，磁珠通常選用交流阻抗 60-80R，直流阻抗越小損耗越小；RC 吸收電路中的電阻阻值在 10R 左右，電容容量在 1nF 以內(nèi)。