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3 月 27 日消息,《華爾街日報》昨日稱,SK 海力士計劃投資約 40 億美元(當前約 289.2 億元人民幣)在美國印第安納州西拉斐特建造一座先進芯片封裝廠,并計劃于 2028 年投產。
對此,SK 海力士在一份聲明中表示,公司正審查其在美國投資先進芯片封裝的計劃,但尚未作出決定。
知情人士對《華爾街日報》透露,SK 海力士董事會預計很快就會批準這一決定,此舉將推動美國政府恢復美國半導體大國地位的雄心,預計將創造約 800~1000 個新工作崗位。
公開資料顯示,SK 海力士的工廠毗鄰普渡大學,普渡大學是美國最大的半導體和微電子工程項目之一的所在地。
消息人士稱,SK 海力士還曾考慮過亞利桑那州,例如臺積電和英特爾都在該州設立了工廠,但考慮到能夠通過普渡大學獲得工程師人才庫的優勢,SK 海力士最終選擇了印第安納州。
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