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374 次2024年10月21日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發先進的無線功率解決方案，為各行各業開辟解決功率難題的新途徑。
此次合作將英飛凌的先進氮化鎵（GaN）技術與AWL-E創新的兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸系統相結合，實現了行業領先的無線功率效率。英飛凌的GaN晶體管技術具有極高的效率和功率密度，而且可在極高的開關頻率下工作。這使AWL-E能夠延長系統使用壽命、減少停機時間和運營成本，并提高產品的易用性。汽車行業利用該技術將車內體驗和座椅動態性提升到一個新的水平；工業系統則利用該技術獲得近乎無限的設計自由，包括自動導引車輛、機器人應用等。此外，由于該技術允許采用全密封系統設計，因此無需配備充電端口，減少了全球電池的使用量。
英飛凌科技電源與傳感系統（PSS）事業部全球合作與生態系統管理團隊的Falk Herm表示：“通過合作伙伴，我們再次證明了AWL-E能夠充分發揮英飛凌CoolGaN?技術的系統級優勢，提高緊湊性和效率。AWL-E與英飛凌在能力上形成互補，此次合作展示了GaN可以在兆赫頻率下工作的特點，改變了功率晶體管的應用范式，帶來了更加環保、性能更好的產品。”
AWL-E聯合創始人、副總裁兼業務開發總監Francis Beauchamp-Verdon表示：“英飛凌認為最終需要通過一個強大的產業生態滿足當今的功率需求，因此以一種特殊的方式讓我們加入他們的大家庭。英飛凌的GaN晶體管、評估板和合作機會使我們基于GaN的兆赫級功率耦合系統得到普及。”
英飛凌是功率半導體市場的領導者，也是目前唯一一家掌握所有功率技術，同時提供全部產品和技術組合的制造商，包括硅器件（例如SJ MOSFET、IGBT）、碳化硅器件（例如肖特基二極管和 MOSFET）和氮化鎵器件（增強型HEMT）。其產品涵蓋了裸片、分立器件和模塊。
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