近日，國際半導體產業協會（SEMI）最新公布的全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast）顯示，隨著芯片需求不斷上升，將帶動全球半導體晶圓廠產能持續成長，預計2024年全球晶圓廠總產能將同比增長6%，2025年將同比增長7%，屆時將達到每月3370萬片8英寸晶圓約當量的歷史新高。

從工藝節點來看，預計 5nm 及以下尖端制程工藝節點的產能將會在 2024 年同比增長 13%，這主要是由于數據中心訓練、推理和前沿設備的生成人工智能 (AI) 推動。為了提高處理能力效率，包括英特爾、三星和臺積電在內的芯片制造商準備開始生產 2nm 全柵極 (GAA) 芯片，預計到 2025 年，5nm 及以下尖端制程工藝節點的的產能同比增長率將達到 17%。

SEMI 總裁兼首席執行官 Ajit Manocha 表示：“從云計算到邊緣設備，人工智能處理的普及正在推動高性能芯片的開發競爭，并推動全球半導體制造能力的強勁擴張。這形成了一個良性循環：人工智能將推動各種應用中半導體內容的增長，進而鼓勵進一步的投資。”

從各地區產能擴張情況來看，預計中國芯片制造商將繼續保持同比兩位數百分比的產能增長，預計到2024 年的產能將同比增長15%，達到每月885萬片8英寸晶圓約當量；2025 年將同比增長 14%，達到每月1010 萬片8英寸晶圓約當量，占行業總量的近三分之一。盡管未來中國大陸存在產能過剩的潛在風險，但該地區仍在積極投資產能擴張，部分原因是為了減輕美國出口管制的影響。華虹集團、晶圓代工、芯恩集成和中芯國際以及 DRAM 制造商長鑫存儲等主要晶圓制造商正在大力投資，以提高該地區的半導體制造產能。

預計到 2025 年，其他大多數主要芯片制造地區的產能增長率將不超過 5%。預計 2025 年中國臺灣的晶圓制造產能將以每月580萬片8英寸晶圓的約當量排名第二；韓國預計將在2025年位居第三，產能將由 2024年的首次超過每月500萬片約當8英寸晶圓之后，2025年將同比增長7%至每月540萬8英寸晶圓約當量。預計日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導體制造產能將分別增長至每月470萬片約當8英寸晶圓（同比增長 3%）、每月320 萬約當8英寸晶圓（同比增長 5%）、每月270 萬 片約當8英寸晶圓（同比增長 4%）和 每月180萬片約當8英寸晶圓（同比增長 4%）。

從業務類型來看，受英特爾建立代工業務和中國晶圓代工產能擴張的推動，預計2024年全球晶圓代工產能將同比增長11%，預計到2025年將繼續同比增加 10%，到 2026 年之時將達到每月1270萬片8英寸晶圓約當量 。

為了滿足 AI 服務器對更快處理器日益增長的需求，高帶寬內存 (HBM) 的快速采用正在推動存儲領域前所未有的容量增長。AI 的爆炸式增長推動了對更密集 HBM 堆棧的需求不斷增長，每個堆棧現在集成了 8 到 12 個芯片。作為回應，領先的 DRAM 制造商正在增加對 HBM/DRAM 的投資。DRAM 容量預計在 2024 年和 2025 年都將同比增長 9%。相比之下，3D NAND Flash市場復蘇仍然緩慢，預計 2024 年整體容量不會增長，2025 年預計將同比增長 5%。

隨著邊緣設備中 AI 應用的興起，預計主流智能手機的 DRAM 容量將從 8GB 增加到 12GB，同樣擁有生成式AI加持的筆記本電腦也將至少需要 16GB 的 DRAM。可以說，隨著AI 向邊緣設備的擴展，也將刺激對 DRAM 的需求。